微製程實驗室
微製程實驗室為等級class1000的無塵室,主要提供薄膜製程機台以協助本中心及本院同仁進行光電元件、量子元件、感測器及微流道等相關開發研究。
主要提供薄膜製程機台以協助本中心及本院同仁進行光電元件、量子元件、感測器及微流道等相關開發研究。

感應式耦合電漿蝕刻系統
Oxford ICP-RIE
- 薄膜蝕刻種類:非金屬
- 製程氣體:O2, CHF3
- 蝕刻真空度:1-10 mTorr
- 沈積時最低操作壓力:200-2000mTorr
- 電漿產生裝置:上電極15V
下電極-15V - 適用基板尺寸:4" wafer
- 使用費:NT$ 1000/h

電子束蒸鍍系統
Ulvac E Beam Evaporator
(for
oxide)
- 蒸鍍材料種類:氧化物
- 蒸鍍源:可同時容納4個鍍源材料
- 製程氣體:O2
- 最低真空能力:~10-7 torr
- 操作壓力:5×10-6 torr
- 最高壓力:3×10-5 torr
- 極限加熱溫度:150 ℃
- 旋轉速率:15 rpm
- 適用基板尺寸:4" wafer×3 (破片可)
- 使用費:NT$ 800/h

電子束蒸鍍系統
FU-23 E Beam Evaporator
(for
metal)
- 蒸鍍材料種類:金屬
(Au, Ag, Al, Ti, Cr, Ni) - 蒸鍍源:可同時容納6個鍍源材料
- 最低真空能力:~10-7 torr
- 操作壓力:5×10-6 torr
- 最高壓力:3×10-5 torr
- 極限加熱溫度:150 ℃
- 旋轉速率:0-25 rpm
- 適用基板尺寸:4" wafer×3 (破片可)
- 使用費:NT$ 800/h

熱蒸鍍系統
Ulvac Thermal Evaporator
- 蒸鍍材料種類:金屬、非金屬
- 蒸鍍源:可同時容納4個鍍源材料
2種材料同時共蒸鍍 - 極限壓力:~10-4 Pa
- 操作壓力:4×10-4 Pa(3×10-6 torr)
- 蒸鍍溫度:150 ℃
- 旋轉速率:none
- 適用基板尺寸:4" wafer×1 (破片可)
- 使用費:NT$ 500/h

射頻/直流濺鍍系統
RF/DC Sputter
- 濺鍍材料種類:金屬、非金屬
- 蒸鍍源:2 DC-gun, 1 RF-gun
可同時1 DC 1 RF共濺鍍 - 靶材需求:3" target
- 製程氣體:Ar, O2
- 極限壓力:~10-6 torr
- 操作壓力:1-50 mTorr
- 旋轉速率:15 rpm
- 適用基板尺寸:4" wafer×1 (破片可)
- 使用費:NT$ 500/h

直流濺鍍系統
TIRI DC Sputter
- 濺鍍材料種類:金屬
- 蒸鍍源:1 DC-gun/ 2 DC-gun
- 靶材需求:2"/3" target
- 製程氣體:Ar
- 極限壓力:~10-6 torr
- 操作壓力:1-50 mTorr
- 旋轉速率:10-90rpm
- 濺鍍溫度:non/700 ℃
- 適用基板尺寸:4" wafer×1
5×5cm2 ×4
2.5×2.5cm2 ×6
(破片可) - 使用費:NT$ 500/h

奈米壓印曝光機
Mask Aligner EVG620 NT
- 光源功率:UV LED (1000W)
- 光源波長:350 nm
- 曝光強度:I-line 365nm /
H-line 405nm /
G-line 436nm - 適用基板尺寸:破片
2"-6" wafer - 使用費:NT$ 1000/h

直寫機
Heidelberg direct writer
- 光源功率:70mW
- 光源波長:365nm
- 適用基板尺寸:破片
2"-5" wafer
2"-5" 玻璃光罩 - 使用費:NT$ 800/h
備註
- 濺鍍材料請自備,若是需要借用本室所持有的材料,將收取材料費:NT$ 10/nm。
- 可進行的金屬材料: Au, Ag, Al, Ti, Cr, Ni。
- 可進行的氧化物材料:Al2O3, SiO2, NiO。
- 非以上材料,請先報備管理者,並且於使用紀錄上備註。
預約使用
若有使用微製程室設備所產生之研究成果,歡迎在論文發表加註:
Technical support from Micro Fabrication Lab, Research Center of Applied sciences (RCAS), Academia Sinica, is acknowledged.

實驗室管理者:郭家珠小姐
Mail
chiachugate.sinica.edu.tw
call
02-2787-3140
實驗室負責人:謝書宜博士
Mail
shuyihsiehgate.sinica.edu.tw
call
02-2787-3147