微製程實驗室
微製程實驗室為等級class1000的無塵室，主要提供薄膜製程機台以協助本中心及本院同仁進行光電元件、量子元件、感測器及微流道等相關開發研究。
感應式耦合電漿蝕刻系統
Oxford ICP-RIE
- 薄膜蝕刻種類：非金屬
- 製程氣體：O2, CHF3
- 蝕刻真空度：1-10 mTorr
- 沈積時最低操作壓力：200-2000mTorr
- 電漿產生裝置：
上電極15V
下電極-15V - 適用基板尺寸：4" wafer
- 使用費：NT$ 1000/h
電子束蒸鍍系統
Ulvac E Beam Evaporator
(for
oxide)
- 蒸鍍材料種類：氧化物
- 蒸鍍源：可同時容納4個鍍源材料
- 製程氣體：O2
- 最低真空能力：~10-7 torr
- 操作壓力：5×10-6 torr
- 最高壓力：3×10-5 torr
- 極限加熱溫度：150 ℃
- 旋轉速率：15 rpm
- 適用基板尺寸：4" wafer×3 (破片可)
- 使用費：NT$ 800/h
電子束蒸鍍系統
FU-23 E Beam Evaporator
(for metal)
- 蒸鍍材料種類：金屬(Au, Ag, Al, Ti, Cr, Ni)
- 蒸鍍源：可同時容納6個鍍源材料
- 最低真空能力：~10-7 torr
- 操作壓力：5×10-6 torr
- 最高壓力：3×10-5 torr
- 極限加熱溫度：150 ℃
- 旋轉速率：0-25 rpm
- 適用基板尺寸：4" wafer×3 (破片可)
- 使用費：NT$ 800/h
熱蒸鍍系統
Ulvac Thermal Evaporator
- 蒸鍍材料種類：金屬、非金屬
- 蒸鍍源：可同時容納4個鍍源材料
2種材料同時共蒸鍍 - 極限壓力：~10-4 Pa
- 操作壓力：4×10-4 Pa(3×10-6 torr)
- 蒸鍍溫度：150 ℃
- 旋轉速率：none
- 適用基板尺寸：4" wafer×1 (破片可)
- 使用費：NT$ 500/h
射頻/直流濺鍍系統
RF/DC Sputter
- 濺鍍材料種類：金屬、非金屬
- 蒸鍍源：2 DC-gun, 1 RF-gun
可同時1 DC 1 RF共濺鍍 - 靶材需求：3" target
- 製程氣體：Ar, O2
- 極限壓力：~10-6 torr
- 操作壓力：1-50 mTorr
- 旋轉速率：15 rpm
- 適用基板尺寸：4" wafer×1 (破片可)
- 使用費：NT$ 500/h
直流濺鍍系統
TIRI DC Sputter
- 濺鍍材料種類：金屬
- 蒸鍍源：1 DC-gun/ 2 DC-gun
- 靶材需求：2"/3" target
- 製程氣體：Ar
- 極限壓力：~10-6 torr
- 操作壓力：1-50 mTorr
- 旋轉速率：10-90rpm
- 濺鍍溫度：non/700 ℃
- 適用基板尺寸：
4" wafer×1
5×5cm2 ×4
2.5×2.5cm2 ×6
(破片可) - 使用費：NT$ 500/h
備註
- 濺鍍材料請自備，若是需要借用本室所持有的材料，將收取材料費：NT$ 10/nm。
- 可進行的金屬材料： Au, Ag, Al, Ti, Cr, Ni。
- 可進行的氧化物材料：Al2O3, SiO2, NiO。
- 非以上材料，請先報備管理者，並且於使用紀錄上備註。
精密製程實驗室
精密製程實驗室為等級class1000的無塵室，位於跨領域大樓4B19。主要提供曝光微影製程機台以協助本中心及本院同仁進行光電元件、量子元件、感測器及微流道等相關開發研究。
電子束微影系統
ELS BODEN100
- 加速電壓：100 kV
- 曝光電流：20 pA - 100 nA
- 掃描速度：200 MHz
- 主腔體真空度：≤ 4 × 10⁻⁴ Pa
- 電子束直徑：φ 1.8 nm
- 最小線寬：6 nm
- 曝寫視野尺寸： 100 µm、250 µm、500 µm、1000 µm (標準視野尺寸)
- 掃描解析度：最小解析度0.2 nm
- 曝寫面積：X ≤ 210 mm，Y ≤ 210 mm
- 可寫入尺寸：破片至8吋晶圓
- 使用費：NT$ 1500/h
聚焦離子束/電子束雙束系統
FIB/SEM dual beam system Helios 660
- 掃描式電子顯微鏡 (SEM)：G4column
- 解析度： 1 kV - 30 kV 下可達次奈米 (sub-nanometer) 等級
- 特色：高解析度三重透鏡內 (in-lens) 電子偵測器，包含透鏡偵測器 (TLD，二次電子與背向散射模式)、鏡筒內偵測器 (ICD，低損耗背向散射)、鏡面偵測器 (MD，無損耗背向散射)，以及 CBS (環形背向散射) 偵測器。
- 離子束：鎵 (Ga) 離子源
- 工作電壓：5-30 kV 之間
- 電流範圍： 1.1 pA 到大約奈安培 (~nA) 等級
- 特色：氣體注入系統 (GIS) 可用於鉑 (Pt) 金屬的沉積
- 使用費：NT$ 3000/h
奈米壓印曝光機
Mask Aligner EVG620 NT
- 光源功率：UV LED (1000W)
- 光源波長：
I-line 365nm / H-line 405nm / G-line 436nm - 適用基板尺寸：
破片
2"-6" wafer - 原理：利用紫外線光源透過光罩圖案模板，搭配顯影劑，
去除掉元件基板表面上的光阻，製造出元件上的圖案。 - 使用費：NT$ 1000/h
直寫機
ML3 Mesa direct writer
- 光源功率：UV LED
- 光源波長：365nm / 405nm
- 適用基板尺寸：
破片
2"-5" wafer
155mm x 155mm - 內解析度：0.6μm / 1μm / 5μm
- 書寫速度：
17mm2/min (0.6μm resolution)
50mm2/min (1μm resolution)
180mm2/min (5μm resolution) - 使用費：NT$ 800/h
- 跨領域科技研究大樓 B2C03（微製程實驗室）
- 跨領域科技研究大樓 4B19（精密製程實驗室）
- 通過中央研究院新進同仁實驗安全教育。
- 自行下載並閱讀簡介內容及使用辦法。
- 繳交申請書後由管理者進行實地安全訓練。
- 以簡介內容、使用規定及實地訓練內容進行考核。
- 考核通過後使得門禁許可；未通過者，一個月後得申請再進行考核。
- 門禁取得後方能申請機台訓練，而後考核取得機台使用權限。
實驗室管理者：郭家珠小姐
Mail
chiachuas.edu.tw
call
02-2787-3140
EBL、FIB儀器管理者：陳家雯小姐
Mail
jwchen1123as.edu.tw
call
02-2787-3292
曝光機、直寫機儀器管理者：廖威豪先生
Mail
jamliaoas.edu.tw
call
02-2787-3162
實驗室負責人：謝書宜博士
Mail
shuyihsiehas.edu.tw
call
02-2787-3147
若有使用本中心微製程室、精密製程室設備所產生之研究成果，歡迎在論文發表加註：
Technical support was provided by Core Facilities of Research Center for
Applied Sciences (RCAS), Academia Sinica (Project No. AS-CFI-113-A10).
（若有發表請自行提供給管理者，謝謝）
- 應用科學研究中心 董奕鍾研究員
- 應用科學研究中心 林時彥研究員
- 化學研究所 涂熊林副研究員
- 物理研究所 柯忠廷助研究員
- 關鍵議題研究中心 陳彥君助研究技師