從原子尺度重新設計二維半導體介面 建立磊晶介面工程新策略
研究成果概述
二維半導體因具有原子級厚度，被視為突破傳統矽半導體微縮極限、發展下一代電子元件的重要材料。然而，其電子傳輸容易受到材料介面的影響，使優異的材料特性難以充分轉化為元件效能。
中央研究院應用科學研究中心特聘研究員張文豪率領跨領域研究團隊，提出全新的「磊晶介面工程（Epitaxial Interface
Engineering）」策略，透過原子尺度設計二維半導體與閘極介電層之間的介面，成功提升單層二硫化鉬（MoS₂）上閘極電晶體的性能。研究團隊建立高品質晶體介面，在約 100 奈米通道長度下實現高跨導、低漏電流及良好的元件一致性，為二維半導體持續微縮及後矽時代半導體技術提供新的發展方向。研究成果已發表於《Nature Electronics》。
